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SST308T-2T2

更新时间: 2024-11-01 14:31:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 56K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET

SST308T-2T2 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.71配置:SINGLE
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):2.5 pF
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SST308T-2T2 数据手册

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