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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.65 |
| Is Samacsys： | N | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最高工作温度： | 135 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.36 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SST309(SOT-23) | MICROSS |
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Transistor |
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| SST309_SOT-23 | MICROSS |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET |
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| SST309-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor, |
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| SST309-SOT-23 | Linear |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| SST309-SOT-23-3L | Linear |
获取价格 |
Transistor, |
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| SST309-SOT-23-3L-ROHS | Linear |
获取价格 |
Transistor, |
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| SST309T | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| SST309T1 | CALOGIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| SST309-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Very High System Sensitivity |
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| SST309T-1T2 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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