5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.65 |
| Is Samacsys： | N | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-609代码： | e0 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 最高工作温度： | 135 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.36 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SST309(SOT-23) | MICROSS |
获取价格 |
Transistor |
|
| SST309_SOT-23 | MICROSS |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET |
|
| SST309-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor, |
|
| SST309-SOT-23 | Linear |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| SST309-SOT-23-3L | Linear |
获取价格 |
Transistor, |
|
| SST309-SOT-23-3L-ROHS | Linear |
获取价格 |
Transistor, |
|
| SST309T | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| SST309T1 | CALOGIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| SST309-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Very High System Sensitivity |
|
| SST309T-1T2 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
