是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | TSOP1, TSSOP32,.56,20 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.92 |
最长访问时间: | 500 ns | 其他特性: | ALSO CONTAINS 256K X 8 SRAM |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 12.4 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度: | 8 |
混合内存类型: | ROM+SRAM | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -20 °C |
组织: | 256KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP32,.56,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.00001 A | 子类别: | Other Memory ICs |
最大压摆率: | 0.0062 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SST30VR022-70-C-U1 | SST |
获取价格 |
2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo | |
SST30VR022-70-C-U1 | SILICON |
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Memory Circuit, 256KX8, CMOS, DIE | |
SST30VR022-70-C-WH | SST |
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2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo | |
SST30VR022-70-C-WH | SILICON |
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Memory Circuit, ROM+SRAM, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, TSOP1-32 | |
SST30VR022-70-E-WH | SST |
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2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo | |
SST30VR023 | SST |
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2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo | |
SST30VR023-500-C-KH | ETC |
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SRAM/ROM | |
SST30VR023-500-C-U1 | SST |
获取价格 |
2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo | |
SST30VR023-500-C-U1 | SILICON |
获取价格 |
Memory Circuit, 256KX8, CMOS, DIE | |
SST30VR023-500-C-WH | SST |
获取价格 |
2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo |