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SST30VR022-500-E-WH

更新时间： 2024-02-28 12:28:13

品牌	Logo	应用领域
SST		静态存储器
页数	文件大小	规格书
12页	113K
描述
2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo

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SST30VR022-500-E-WH 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP32,.56,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.92
最长访问时间：	500 ns	其他特性：	ALSO CONTAINS 256K X 8 SRAM
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	12.4 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	8
混合内存类型：	ROM+SRAM	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	256KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP32,.56,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00001 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.0062 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

SST30VR022-500-E-WH 数据手册

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2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM

ROM/RAM Combo

SST30VR021 / SST30VR022 / SST30VR023

SST30VR021/022/0232 Mb Mask ROM (x8) + 1 Mb / 2Mb / 256 Kb SRAM (x8) Combo

Data Sheet

FEATURES:

•

ROM + SRAM ROM/RAM Combo

•

Low Power Dissipation:

– SST30VR021: 256K x8 ROM + 128K x8 SRAM

– SST30VR022: 256K x8 ROM + 256K x8 SRAM

– SST30VR023: 256K x8 ROM + 32K x8 SRAM

– Standby: 3 µW (Typical)

– Operating: 10 mW (Typical)

Fully Static Operation

– No clock or refresh required

Three state Outputs

•

ROM/RAM combo on a monolithic chip

Equivalent ComboMemory (Flash + SRAM):

SST31LF021E for code development and

pre-production

•

Packages Available

– 32-pin TSOP (8mm x14mm)

•

Wide Operating Voltage Range: 2.7-3.3V

Chip Access Time

– SST30VR022

70 ns

– SST30VR021/023 500 ns

PRODUCT DESCRIPTION

The SST30VR021/022/023 are ROM/RAM combo chips

consisting of 2 Mbit Read Only Memory organized as 256

KBytes and Static Random Access Memory organized as

128, 256, and 32 KBytes.

The SST30VR021/022/023 has an output enable input for

precise control of the data outputs. It also has two (2) sepa-

rate chip enable inputs for selection of either RAM or ROM

and for minimizing current drain during power-down mode.

The device is fabricated using SST’s advanced CMOS low

power process technology.

The SST30VR021/022/023 is particularly well suited for

use in low voltage (2.7-3.3V) supplies such as pagers,

organizers and other handheld applications.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

RAMCS#

ROMCS#

OE#

WE#

RAM

DQ -DQ

ROMCS#

OE#

-A

ROM

380 ILL B1.1

Note: A

= Most Significant Address

The SST logo and SuperFlash are registered trademarks of Silicon Storage Technology, Inc.

ComboMemory is a trademark of Silicon Storage Technology, Inc.

These specifications are subject to change without notice.

S71135-02-000 4/01

380

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SST30VR022-70-C-U1	SILICON	获取价格	Memory Circuit, 256KX8, CMOS, DIE
SST30VR022-70-C-WH	SST	获取价格	2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo
SST30VR022-70-C-WH	SILICON	获取价格	Memory Circuit, ROM+SRAM, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, TSOP1-32
SST30VR022-70-E-WH	SST	获取价格	2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo
SST30VR023	SST	获取价格	2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo
SST30VR023-500-C-KH	ETC	获取价格	SRAM/ROM
SST30VR023-500-C-U1	SST	获取价格	2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo
SST30VR023-500-C-U1	SILICON	获取价格	Memory Circuit, 256KX8, CMOS, DIE
SST30VR023-500-C-WH	SST	获取价格	2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo

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