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SST309T1

更新时间: 2024-11-02 06:20:51
品牌 Logo 应用领域
CALOGIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 58K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, PLASTIC PACKAGE-3

SST309T1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.90.00.00
风险等级:5.3配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:25 VFET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):2.5 pF最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:135 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON

SST309T1 数据手册

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