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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.90.00.00 |
| 风险等级： | 5.3 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 2.5 pF | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 135 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SST309-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Very High System Sensitivity |
|
| SST309T-1T2 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| SST309T-2T1 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| SST309TT1 | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| SST309TT2 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| SST30VR021 | SST |
获取价格 |
2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo |
|
| SST30VR021-500-C-KH | ETC |
获取价格 |
SRAM/ROM |
|
| SST30VR021-500-C-U1 | SST |
获取价格 |
2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo |
|
| SST30VR021-500-C-U1 | SILICON |
获取价格 |
Memory Circuit, 256KX8, CMOS, DIE |
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| SST30VR021-500-C-WH | SST |
获取价格 |
2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo |
|
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