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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.72 | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 2.5 pF |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SST309TT1 | TEMIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
|
| SST309TT2 | VISHAY |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| SST30VR021 | SST |
获取价格 |
2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo |
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| SST30VR021-500-C-KH | ETC |
获取价格 |
SRAM/ROM |
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| SST30VR021-500-C-U1 | SST |
获取价格 |
2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo |
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| SST30VR021-500-C-U1 | SILICON |
获取价格 |
Memory Circuit, 256KX8, CMOS, DIE |
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| SST30VR021-500-C-WH | SST |
获取价格 |
2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo |
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| SST30VR021-500-E-KH | ETC |
获取价格 |
SRAM/ROM |
|
| SST30VR021-500-E-WH | SST |
获取价格 |
2 Mbit ROM + 1 Mbit / 2Mbit / 256 Kbit SRAM ROM/RAM Combo |
|
| SST30VR021-500-E-WH | SILICON |
获取价格 |
Memory Circuit, ROM+SRAM, 256KX8, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, TSOP1-32 |
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