SST309

更新时间： 2024-10-31 22:50:11

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CALOGIC		晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管
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2页	30K
描述
N-Channel JFET High Frequency Amplifier

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SST309 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.90.00.00
风险等级：	5.29	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	25 V
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	2.5 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	135 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.36 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SST309 数据手册

N-Channel JFET

High Frequency Amplifier

CORPORATION

J308 – J310 / SST308 – SST310

FEATURES

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(T_A= 25^oC unless otherwise specified)

Industry Standard Part in Low Cost Plastic Package

High Power Gain

Low Noise

Dynamic Range Greater Than 100dB

•

Drain-Gate Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -25V

Drain-Source Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -25V

Continuous Forward Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . -10mA

Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . -55^oC to +150^oC

Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . -55^oC to +135^oC

Lead Temperature (Soldering, 10sec) . . . . . . . . . . . . . +300^oC

Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360mW

Derate above 25^oC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.27mW/^oC

NOTE: Stresses above those listed under "Absolute Maximum

Ratings" may cause permanent damage to the device. These are

stress ratings only and functional operation of the device at these or

any other conditions above those indicated in the operational sections

of the specifications is not implied. Exposure to absolute maximum

rating conditions for extended periods may affect device reliability.

•

Easily Matched to 75Ω Input

•

APPLICATIONS

VHF/UHF Amplifiers

Oscillators

Mixers

•

PIN CONFIGURATION

SOT-23

ORDERING INFORMATION

TO-92

Part

Package

Temperature Range

J308-310

SST308-310 Plastic SOT-23

Plastic TO-92

-55^oC to +135^oC

For Sorted Chips in Carriers see U308 series.

PRODUCT MARKING (SOT-23)

SST308

SST309

SST310

Z08

Z09

Z10

5021

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SST309 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBFJ310LT1G	ONSEMI	功能相似	JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
MMBFJ310	FAIRCHILD	功能相似	SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers
MMBFJ309	FAIRCHILD	功能相似	SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers

与SST309相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SST309(SOT-23)	MICROSS	获取价格	Transistor
SST309_SOT-23	MICROSS	获取价格	N-CHANNEL JFET
SST309-E3	VISHAY	获取价格	Transistor,
SST309-SOT-23	Linear	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
SST309-SOT-23-3L	Linear	获取价格	Transistor,
SST309-SOT-23-3L-ROHS	Linear	获取价格	Transistor,
SST309T	VISHAY	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
SST309T1	CALOGIC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
SST309-T1-E3	VISHAY	获取价格	Very High System Sensitivity
SST309T-1T2	VISHAY	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-

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