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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSR2N60A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SSR2N60ATF | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| SSR2N60ATM | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| SSR2N60B | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
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| SSR2N60BTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SSR2N60BTM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SSR3 | ETC |
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ROSETTENKNOPF SELBSTMONTAGE M10 10ST |
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| SSR3045CTG | SSDI |
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15 AMP per leg / 45 Volts LOW VOLTAGE DROP SCHOTTKY POWER DIODE COMMON CATHODE CENTERTAP |
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| SSR3045CTGS | SSDI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETICALLY SEAL |
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| SSR3045CTGTX | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETICALLY SEAL |
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