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| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-CSSO-G2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.72 | 应用： | POWER |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-CSSO-G2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 250 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大输出电流： | 15 A | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 45 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSR3045CTGTX | SSDI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETICALLY SEAL |
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| SSR3045CTGTXV | SSDI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 45V V(RRM), Silicon, HERMETICALLY SEAL |
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| SSR3055 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SSR3055A | SAMSUNG |
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ADVANCED POWER MOSFET |
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| SSR3055L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252 |
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| SSR3055LA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-252AA |
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| SSR30C100S1 | SSDI |
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30 A / 1200 V Schottky Silicon Carbide Rectifier |
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| SSR30C100S1_1 | SSDI |
获取价格 |
Schottky Silicon Carbide Rectifier |
|
| SSR30C100S1S | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1000V V(RRM), Silicon Carbide, SMD1, 3 |
|
| SSR30C100S1TX | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1000V V(RRM), Silicon Carbide, SMD1, 3 |
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