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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.81 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 55 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 18 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSR3055L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252 |
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| SSR3055LA | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-252AA |
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| SSR30C100S1 | SSDI |
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30 A / 1200 V Schottky Silicon Carbide Rectifier |
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| SSR30C100S1_1 | SSDI |
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Schottky Silicon Carbide Rectifier |
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| SSR30C100S1S | SSDI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1000V V(RRM), Silicon Carbide, SMD1, 3 |
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| SSR30C100S1TX | SSDI |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1000V V(RRM), Silicon Carbide, SMD1, 3 |
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| SSR30C100S1TXV | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1000V V(RRM), Silicon Carbide, SMD1, 3 |
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| SSR30C120S1 | SSDI |
获取价格 |
30 A / 1200 V Schottky Silicon Carbide Rectifier |
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| SSR30C120S1S | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, SMD1, 3 |
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| SSR30C120S1TX | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, SMD1, 3 |
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