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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.98 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| SSM6P26TU(TE85L) | TOSHIBA | SSM6P26TU(TE85L) |
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| SSM6P26TU(TE85L,F) | TOSHIBA | SSM6P26TU(TE85L,F) |
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| SSM6P28TU | TOSHIBA | High-Speed Switching Applications |
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| SSM6P28TU(TE85L) | TOSHIBA | TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,800MA I(D),SOT-363VAR |
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| SSM6P35AFE | TOSHIBA | P-ch x 2 MOSFET, -20 V, -0.25 A, 1.4 Ω@4.5V, |
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| SSM6P35AFU | TOSHIBA | P-ch x 2 MOSFET, -20 V, -0.25 A, 1.4 Ω@4.5V, |
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