SSM6N15AFE

更新时间： 2024-01-04 02:32:19

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
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SSM6N15AFE 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.34	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSM6N15AFE 数据手册

SSM6N15AFE

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS III)

SSM6N15AFE

Load Switching Applications

Unit: mm

1.6±0.05

1.2±0.05

•

2.5 V drive

N-ch 2-in-1

Low ON-resistance: R

= 3.6 Ω (max) (@V

= 6.0 Ω (max) (@V

= 4.0 V)

= 2.5 V)

DS(ON)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

(Q1, Q2 Common)

Characteristics

Drain-Source voltage

Symbol

Rating

Unit

±20

DSS

Gate-Source voltage

GSS

100

Drain current

Pulse

400

1.Source1

4.Source2

2.Gate1

3.Drain2

5.Gate2

6.Drain1

Power dissipation

(Note 1)

150

°C

Channel temperature

150

ES6

Storage temperature range

−55 to 150

°C

stg

JEDEC

JEITA

―

Note:

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of

high temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the

reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the

absolute maximum ratings.

TOSHIBA

2-2N1D

Weight: 3.0 mg (typ.)

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Total rating

Mounted on FR4 board

(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 0.135 mm²× 6)

0.3 mm

Marking

Equivalent Circuit (top view)

2010-11-22

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSM6N15AFE(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,100MA I(D),TSOP
SSM6N15AFE(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,100MA I(D),TSOP
SSM6N15AFE(TPL3,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,100MA I(D),TSOP
SSM6N15AFE,LM(T	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor
SSM6N15AFU	TOSHIBA	获取价格	Load Switching Applications
SSM6N15AFU,LF(D	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSM6N15FE	TOSHIBA	获取价格	High Speed Switching Applications
SSM6N15FE(NHF,F)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSM6N15FE(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,100MA I(D),TSOP
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