SSM6L10TU

更新时间： 2024-02-27 07:52:31

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
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10页	208K
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High Speed Switching Applications

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SSM6L10TU 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A
最大漏极电流 (ID)：	0.5 A	最大漏源导通电阻：	0.145 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSM6L10TU 数据手册

SSM6L10TU

Q2(Pch MOS FET)

|Yfs| - ID

IDR - VDS

Common Source

VGS=0V

Ta=25°C

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

25°C

-25°C

Ta=100°C

Common Source

VDS=-3V

Ta=25°C

-10

-100

-1000

-10000

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Drain-Source voltage VDS (V)

Drain current ID (mA)

C - VDS

t - ID

1000

100

1000

100

Common Source

VDD=-10V

VGS=0 2.5V

Ta=25°C

toff

Ciss

ton

Common Source

VGS=0V

f=1MHz

Coss

Crss

Ta=25°C

-0

-1

-10

-100

-10

-100

-1000

-10000

Drain current ID (mA)

Drain-Source voltage VDS (V)

PD* - Ta

1000

800

600

400

200

mounted FR4 board

t=10s

(25.4mm*25.4mm*1.6t

Cu Pad :645mm )

80 100 120 140 160

Ambient temperature Ta(

)

℃

*:Total Rating

2007-11-01

1...4 5 678 9 10

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