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SSM6L16FE(T5LKMC,F

更新时间： 2024-02-07 01:32:33
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 217K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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SSM6L16FE(T5LKMC,F 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.76
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：0.1 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSM6L16FE(T5LKMC,F 数据手册

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SSM6L16FE  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type(π-MOSVI)  
SSM6L16FE  
High Speed Switching Applications  
Analog Switch Applications  
Unit: mm  
•
Small package  
•
Low on-resistance Q1: R  
Q2: R  
= 4 Ω (max) (@V  
= 12 Ω (max) (@V  
= 2.5 V)  
DS(ON)  
GS  
= −2.5 V)  
DS(ON)  
GS  
Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-Source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
20  
V
V
DSS  
Gate-Source voltage  
±10  
100  
200  
GSS  
DC  
I
D
Drain current  
mA  
Pulse  
I
DP  
1: Source1  
2: Gate1  
3: Drain2  
4: Source2  
5: Gate2  
Q2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-Source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
6: Drain1  
V
V
-20  
±10  
V
V
DSS  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Gate-Source voltage  
GSS  
DC  
I
-100  
-200  
D
Drain current  
mA  
TOSHIBA  
2-2N1D  
Pulse  
I
DP  
Weight: 3 mg (typ.)  
Absolute Maximum Ratings (Q1, Q2 Common)  
(Ta = 25°C)  
Characteristics  
Power dissipation  
Symbol  
(Note 1)  
Rating  
Unit  
P
150  
150  
mW  
°C  
D
Channel temperature  
T
ch  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Total rating, mounted on FR4 board  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 0.135 mm2 × 6)  
0.3 mm  
Start of commercial production  
2002-03  
1
2014-03-01  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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