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SSM6L35FU PDF预览

SSM6L35FU

更新时间： 2024-09-23 20:05:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 291K
描述
TRANSISTOR 180 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, US6, 2-2J1C, 6 PIN, FET General Purpose Small Signal

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SSM6L35FU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.26
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：0.18 A最大漏源导通电阻：4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSM6L35FU 数据手册

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SSM6L35FU  
東芝電界効果トランジスタ シリコンN･PチャネルMOS形  
SSM6L35FU  
○高速スイッチング用  
○アナログスイッチ用  
単位: mm  
•
•
Nch:1.2 V 駆動です  
Pch:1.2 V 駆動です  
• オン抵抗が低い Q1 Nch: R = 20 Ω (最大) (@V  
= 1.2 V)  
= 1.5 V)  
= 2.5 V)  
= 4.0 V)  
= -1.2 V)  
= -1.5 V)  
= -2.5 V)  
= -4.0 V)  
on  
GS  
: R  
: R  
: R  
=
=
=
8 Ω (最大) (@V  
on  
on  
on  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
4 Ω (最大) (@V  
3 Ω (最大) (@V  
Q2 Pch: R = 44 Ω (最大) (@V  
on  
: R = 22 Ω (最大) (@V  
on  
: R = 11 Ω (最大) (@V  
on  
: R  
=
8 Ω (最大) (@V  
GS  
on  
Q1 絶対最大定格 (Ta = 25°C)  
項
目
記 号  
定
定
定
格
格
格
単位  
JEDEC  
JEITA  
-
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 電 圧  
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧  
V
V
20  
V
V
DSS  
-
±10  
180  
360  
GSS  
東 芝  
2-2J1C  
DC  
ド レ イ ン 電 流  
パルス  
I
D
mA  
質量: 6.8 mg (標準)  
I
DP  
Q2 絶対最大定格 (Ta = 25°C)  
項
目
記 号  
単位  
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 電 圧  
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧  
V
V
-20  
V
V
DSS  
± 10  
-100  
-200  
GSS  
DC  
ド レ イ ン 電 流  
パルス  
I
D
mA  
I
DP  
Q1, Q2 共通絶対最大定格 (Ta = 25°C)  
項
目
記 号  
単位  
ドレイン損失 ( T a  
=
2 5 ° C )  
P (注1)  
200  
150  
mW  
°C  
D
チ
保
ャ
ネ
ル
温
度
度
T
ch  
stg  
存
温
T
−55~150  
°C  
注:本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても､高負荷 (高温および大電流/高  
電圧印加､多大な温度変化等) で連続して使用される場合は､信頼性が著しく低下するおそれがあります。  
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) および個  
別信頼性情報 (信頼性試験レポート､推定故障率等) をご確認の上､適切な信頼性設計をお願いします。  
注1:  
Total 定格です。  
1
2008-03-21  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM6L35FU(TE85L,F) TOSHIBA

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SSM6L36FE TOSHIBA

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 		High-Speed Switching Applications
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 		TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,20V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-363VAR
SSM6L36TU,LF(B TOSHIBA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,

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