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SSM6L36FE

更新时间： 2024-09-23 06:14:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关
页数 文件大小 规格书
9页 223K
描述
High-Speed Switching Applications

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SSM6L36FE 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.24
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：0.5 A最大漏源导通电阻：0.85 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F6
元件数量：2端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSM6L36FE 数据手册

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SSM6L36FE  
TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type  
SSM6L36FE  
○High-Speed Switching Applications  
Unit: mm  
1.6±0.05  
•
•
1.5-V drive  
Low ON-resistance Q1 Nch:  
1.2±0.05  
R
on  
R
on  
R
on  
R
on  
R
on  
= 1.52Ω (max) (@V  
= 1.14Ω (max) (@V  
= 0.85Ω (max) (@V  
= 0.66Ω (max) (@V  
= 0.63Ω (max) (@V  
= 1.5 V)  
= 1.8 V)  
= 2.5 V)  
= 4.5 V)  
= 5.0 V)  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
1
2
3
6
5
4
•
Q2 Pch: R = 3.60Ω (max) (@V  
= -1.5 V)  
= -1.8 V)  
= -2.8 V)  
= -4.5 V)  
on  
GS  
GS  
GS  
GS  
R
on  
R
on  
R
on  
= 2.70Ω (max) (@V  
= 1.60Ω (max) (@V  
= 1.31Ω (max) (@V  
1.Source1  
2.Gate1  
4.Source2  
5.Gate2  
Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
3.Drain2  
6.Drain1  
Characteristics  
Drain–source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
ES6  
V
V
20  
±10  
500  
1000  
V
V
DSS  
Gate–source voltage  
GSS  
JEDEC  
JEITA  
-
DC  
I
D
Drain current  
mA  
Pulse  
I
DP  
-
TOSHIBA  
2-2N1D  
Q2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Weight: 3.0 mg (typ.)  
Characteristics  
Drain–source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
-20  
±8  
V
V
DSS  
Gate–source voltage  
GSS  
DC  
I
-330  
-660  
D
Drain current  
mA  
Pulse  
I
DP  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 °C) (Common to the Q1, Q2)  
Characteristics  
Symbol  
P (Note 1)  
Rating  
Unit  
Drain power dissipation  
Channel temperature  
150  
150  
mW  
°C  
D
T
ch  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Total rating  
Mounted on an FR4 board  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 0.135 mm2 × 6)  
1
2008-06-05  
1234567...9

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与SSM6L36FE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSM6L36FE(TE85L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,20V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-363VAR
SSM6L36FE(TE85L,F) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,20V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-363VAR
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 		TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,20V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-363VAR
SSM6L36TU TOSHIBA

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SSM6L36TU(TE85L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,20V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-363VAR
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 		TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,20V V(BR)DSS,500MA I(D),SOT-363VAR
SSM6L36TU,LF(B TOSHIBA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SSM6L39TU TOSHIBA

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 		N-ch + P-ch MOSFET, 20 V/-20 V, 1.6 A/-1.5 A,
SSM6L39TU(TE85L) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,20V V(BR)DSS,1.6A I(D),SOT-363VAR, FET Gen

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