SSM6L10TU

更新时间： 2024-01-23 19:40:53

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	208K
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High Speed Switching Applications

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SSM6L10TU 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A
最大漏极电流 (ID)：	0.5 A	最大漏源导通电阻：	0.145 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSM6L10TU 数据手册

SSM6L10TU

Q2(Pch MOS FET)

ID - VDS

-3.0

ID - VGS

-10000

-1600

-2.0

-5.0

-1400

1000

-1.8

-1.6

-1200

100

-4.0

-1000

Ta=100°C

-800

-600

-400

-200

25°C

-25°C

VGS=-1.4V

0.1

Common Source

VDS=-3V

Common Source

Ta=25°C

0.01

-0.2

-0.4

-0.6

-0.8

-1

-2

-3

Drain-Source voltage VDS (V)

Gate-Source voltage VGS (V)

RDS(ON) - VGS

RDS(ON) - ID

500

400

300

200

100

500

400

300

200

100

Common Source

ID=-250mA

-1.8V

-2.5V

Ta=100°C

VGS=-4V

25°C

-25°C

Common Source

Ta=25°C

-200 -400 -600 -800 -1000 -1200 -1400 -1600

Drain current ID (mA)

-1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8 -9 -10

Gate-Source voltage VGS (V)

RDS(ON) - Ta

-1.8V

Vth - Ta

500

400

300

200

100

-1

Common Source

ID=-250mA

Common Source

ID=-0.1mA

VDS=-3V

-0.8

-0.6

-0.4

-0.2

-2.5V

VGS=-4V

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160

Ambient temperature Ta (°C)

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160

Ambient temperature Ta (°C)

2007-11-01

1...3 4 567 8 9 10

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