SSM6L16FE

更新时间： 2024-02-02 10:03:09

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
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High Speed Switching Applications

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SSM6L16FE 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.36
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F6
JESD-609代码：	e0	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSM6L16FE 数据手册

SSM6L16FE

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type

SSM6L16FE

High Speed Switching Applications

Analog Switch Applications

Unit: mm

•

Small package

Low on-resistance Q1: R = 4 Ω (max) (@V

= 2.5 V)

Q2: R = 12 Ω (max) (@V

= −2.5 V)

Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-Source voltage

Symbol

Rating

Unit

Gate-Source voltage

±10

100

200

GSS

Drain current

Pulse

1: Source1

2: Gate1

3: Drain2

4: Source2

5: Gate2

6: Drain1

Q2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-Source voltage

Symbol

Rating

Unit

-20

±10

JEDEC

JEITA

―

Gate-Source voltage

GSS

-100

-200

Drain current

TOSHIBA

2-2N1D

Pulse

Absolute Maximum Ratings (Q1, Q2 Common)

(Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

(Note 1)

Rating

Unit

Drain power dissipation (Ta = 25°C)

Channel temperature

150

°C

Storage temperature range

stg

−55~150

°C

Note:

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly

even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute

maximum ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Note 1: Total rating, mounted on FR4 board

(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 t, Cu Pad: 0.135 mm × 6)

0.3 mm

2007-11-01

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSM6L16FE(T5LKMC,F	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SSM6L16FE(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.1A 6-Pin ES T/R
SSM6L35FE	TOSHIBA	获取价格	High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications
SSM6L35FE(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	MOSFET N-CH/P-CH 20V .18A ES6
SSM6L35FE(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,20V V(BR)DSS,180MA I(D),SOT-363VAR
SSM6L35FE(TPL3,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,20V V(BR)DSS,180MA I(D),SOT-363VAR
SSM6L35FE,LM(B	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SSM6L35FE,LM(T	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor
SSM6L35FU	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 180 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, US6, 2-2J1C
SSM6L35FU(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,PAIR,COMPLEMENTARY,20V V(BR)DSS,180MA I(D),SOT-363

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