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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 350 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 22 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 22 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 230 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSH22N40 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-247VAR |
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| SSH22N45 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 450V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SSH22N50 | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| SSH22N50A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| SSH24D35 | TELEDYNE |
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Output to 75A, 510 Vac with Diagnostics |
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| SSH24D50 | TELEDYNE |
获取价格 |
Output to 75A, 510 Vac with Diagnostics |
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| SSH25N35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 350V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SSH25N35A | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 350V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SSH25N40 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SSH25N40A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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