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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSH22N50 | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| SSH22N50A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| SSH24D35 | TELEDYNE |
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Output to 75A, 510 Vac with Diagnostics |
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| SSH24D50 | TELEDYNE |
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Output to 75A, 510 Vac with Diagnostics |
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| SSH25N35 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 350V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SSH25N35A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 350V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SSH25N40 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SSH25N40A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| SSH3N70 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 700V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| SSH3N70A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 700V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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