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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 3.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 135 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSH4N80AS | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-247VAR |
|
| SSH4N90 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247VAR |
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| SSH4N90AS | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SSH5N80A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| SSH5N90 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| SSH5N90A | SAMSUNG |
获取价格 |
ADVANCED POWER MOSFET |
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| SSH60N06 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SSH60N06A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SSH60N08 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 80V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| SSH60N10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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