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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 790 mJ | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 60 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 60 A | 最大漏源导通电阻： | 0.03 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 180 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 840 ns | 最大开启时间（吨）： | 406 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSH60N10A | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SSH66TU | CYNERGY3 |
获取价格 |
Short Switch for internal or external mounting via 1/2NPT thread |
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| SSH66TU12N100S | CYNERGY3 |
获取价格 |
Short Switch for internal or external mounting via 1/2NPT thread |
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| SSH66XE | CYNERGY3 |
获取价格 |
Switch for 3/4 NPT External Fitting |
|
| SSH66XE34 | CYNERGY3 |
获取价格 |
Switch for 3/4NPT External Fitting |
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| SSH66XE34N100 | CYNERGY3 |
获取价格 |
Switch for 3/4 NPT External Fitting |
|
| SSH66XE34NP | CYNERGY3 |
获取价格 |
Switch for 3/4 NPT External Fitting |
|
| SSH66XU | CYNERGY3 |
获取价格 |
Compact Switch for internal or external mounting via 1/2NPT thread |
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| SSH66XU12N100 | CYNERGY3 |
获取价格 |
Compact Switch for internal or external mounting via 1/2NPT thread |
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| SSH6N55 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 550V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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