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SSH7N60A

更新时间： 2025-07-12 23:34:19

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TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 7.3A I(D) \| TO-247VAR

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SSH7N60A

Advanced Power MOSFET

FEATURES

BV_DSS= 600 V

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

W

R_DS(on)= 1.2

I_D= 7.3 A

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

TO-3P

m

Lower Leakage Current : 25 A (Max.) @ V_DS= 600V

Lower R_DS(ON): 0.977 (Typ.)

W

1

2

3

1.Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Value

Units

V_DSS

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25 ^o

Continuous Drain Current (T_C=100^o

V

600

7.3

4.6

30

)

C

I_D

A

)

C

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

Drain Current-Pulsed

A

V

1

O

+

_

Gate-to-Source Voltage

30

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

2

O

581

7.3

mJ

A

1

O

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Total Power Dissipation (T_C=25^o

mJ

V/ns

W

16

1

O

3

3.0

O

)

C

160

1.28

P_D

T_J, T_STG

T_L

W/^oC

Linear Derating Factor

Operating Junction and

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

^oC

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8 “ from case for 5-seconds

Thermal Resistance

Symbol

Characteristic

Junction-to-Case

Case-to-Sink

Typ.

Max.

0.78

--

Units

R_q

--

0.24

--

JC

^oC/W

R_q

CS

R_q

Junction-to-Ambient

40

JA

Rev. B

©1999 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7

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