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SSH9N80A

更新时间： 2025-07-14 03:15:11
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飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 251K
描述
Advanced Power MOSFET

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SSH9N80A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-3P包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.34Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：432 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：800 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：1.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：240 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SSH9N80A 数据手册

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SSH9N80A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 800 V  
RDS(on) = 1.3 W  
ID = 9 A  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
Lower Leakage Current : 25 mA (Max.) @ VDS = 800V  
Low RDS(ON) : 1.000 W (Typ.)  
TO-3P  
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Value  
Units  
800  
VDSS  
V
O
Continuous Drain Current (TC=25 C)  
9
ID  
A
O
Continuous Drain Current (TC=100 C)  
5.7  
36  
1
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
Drain Current-Pulsed  
O
A
V
±
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
30  
2
O
1
O
432  
9
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
24  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
1
O
2.0  
240  
1.92  
3
O
O
Total Power Dissipation (TC=25 C)  
PD  
TJ , TSTG  
TL  
O
Linear Derating Factor  
W/ C  
Operating Junction and  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
O
C
Purposes, 1/8“ from case for 5-seconds  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink  
Typ.  
Max.  
0.52  
--  
Units  
R q  
--  
0.24  
--  
JC  
O
R q  
C/W  
CS  
R q  
Junction-to-Ambient  
40  
JA  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSH9N90A FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SSHB10H-04320 KEMET

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 		SINGLE PHASE EMI FILTER,
SSHB10H-05212 KEMET

获取价格

 		SINGLE PHASE EMI FILTER,
SSHB10H-06171 KEMET

获取价格

 		额定电流最大值(mA):600mA ;额定电压(V):- ;最小工作温度（℃）:-25°C
SSHB10H-07120 KEMET

获取价格

 		KEMET, SSHB10H, Commercial Grade, 0.012 H
SSHB10H-08082 KEMET

获取价格

 		额定电流最大值(mA):800mA ;额定电压(V):- ;最小工作温度（℃）:-25°C
SSHB10H-10064 KEMET

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 		KEMET, SSHB10H, Commercial Grade, 6400 uH
SSHB10H-11054 KEMET

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 		额定电流最大值(mA):1.1A ;额定电压(V):- ;最小工作温度（℃）:-25°C;
SSHB10H-13037 KEMET

获取价格

 		KEMET, SSHB10H, Commercial Grade, 3700 uH
SSHB10H-17023 KEMET

获取价格

 		SINGLE PHASE EMI FILTER,

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