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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 170 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSH8N70 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 700V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247VAR |
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| SSH8N80 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247VAR |
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| SSH8N80A | FAIRCHILD |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| SSH8N90A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| SSH9N80A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SSH9N90A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SSHB10H-04320 | KEMET |
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SINGLE PHASE EMI FILTER, |
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| SSHB10H-05212 | KEMET |
获取价格 |
SINGLE PHASE EMI FILTER, |
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| SSHB10H-07120 | KEMET |
获取价格 |
KEMET, SSHB10H, Commercial Grade, 0.012 H |
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| SSHB10H-10064 | KEMET |
获取价格 |
KEMET, SSHB10H, Commercial Grade, 6400 uH |
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