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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.72 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 280 mJ |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 700 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 2.5 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 430 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 210 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSH4N80 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| SSH4N80AS | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-247VAR |
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| SSH4N90 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247VAR |
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| SSH4N90AS | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SSH5N80A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SSH5N90 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| SSH5N90A | SAMSUNG |
获取价格 |
ADVANCED POWER MOSFET |
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| SSH60N06 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SSH60N06A | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SSH60N08 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 80V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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