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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSH40N15 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 150V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SSH40N15A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 150V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SSH40N20 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SSH40N20A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SSH45N15 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 150V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SSH45N20 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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| SSH45N20A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| SSH45N20B | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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| SSH45N20B_FP001 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SSH48D50 | TELEDYNE |
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Output to 75A, 510 Vac with Diagnostics |
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