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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 700 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSH3N70A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 700V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| SSH3N90 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-247VAR |
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| SSH40N15 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 150V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SSH40N15A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 150V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SSH40N20 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SSH40N20A | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SSH45N15 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 150V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SSH45N20 | FAIRCHILD |
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200V N-Channel MOSFET |
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| SSH45N20A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SSH45N20B | FAIRCHILD |
获取价格 |
200V N-Channel MOSFET |
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