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SS8050CBU

更新时间： 2024-02-09 17:21:47

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		放大器 PC 晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	758K
描述
1500mA, 25V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

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技术参数
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SS8050CBU 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	NOT APPLICABLE
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	190 MHz
Base Number Matches：	1

SS8050CBU 数据手册

Typical Characteristics

0.5

1000

100

V_CE= 1V

I_B= 3.0mA

0.4

0.3

0.2

0.1

I_B= 2.5mA

I_B= 2.0mA

I_B= 1.5mA

I_B= 1.0mA

I_B= 0.5mA

1.6

0.1

0.4

0.8

1.2

2.0

100

1000

V_CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE

I_C[mA], COLLECTOR CURRENT

Figure 1. Static Characteristic

Figure 2. DC current Gain

10000

1000

100

I_C= 10 I_B

V_CE= 1V

V_BE(sat)

V_CE(sat)

0.1

0.0

100

1000

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

I_C[mA], COLLECTOR CURRENT

V_BE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE

Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage

Figure 4. Base-Emitter On Voltage

Collector-Emitter Saturation Voltage

1000

100

V_CE= 10V

I_E= 0

f = 1MHz

100

400

V_CB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE

I_C[mA], COLLECTOR CURRENT

Figure 5. Collector Output Capacitance

Figure 6. Current Gain Bandwidth Product

Rev. A1, July 2001

1 234 5 6 7

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