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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> SS8050-D-BP-HF
SS8050-D-BP-HF PDF预览

SS8050-D-BP-HF

更新时间： 2025-07-28 13:13:59
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 207K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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SS8050-D-BP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.61
最大集电极电流 (IC)：1.5 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：160
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：190 MHz
Base Number Matches：1

SS8050-D-BP-HF 数据手册

 浏览型号SS8050-D-BP-HF的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
SS8050-C  
SS8050-D  
Micro Commercial Components  
Features  
•
•
•
•
•
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors  
Capable of 1.0Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation.  
NPN Silicon  
Transistors  
Collector-current 1.5A  
Collector-base Voltage 40V  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
•
•
Marking : SS8050  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
•
TO-92  
A
E
C
B
Electrical Characteristics @ 25OC UnlessEOtherwise Specified  
B
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
40  
25  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
(I =100uAdc, IE=0)  
C
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(I =0.1mAdc, IB=0)  
C
Emitter-Base Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
C
(I =100uAdc, IC=0)  
E
Collector Cutoff Current  
0.1  
0.1  
0.1  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
(VCB=40Vdc, I =0)  
E
ICEO  
Collector Cutoff Current  
(VCE=20Vdc, I =0)  
B
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, I =0)  
C
D
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
DC Current Gain  
120  
40  
---  
300  
---  
---  
---  
(I =100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
hFE(2)  
DC Current Gain  
(I =800mAdc, VCE=1.0Vdc)  
C
VCE(sat)  
VBE(sat)  
VEB  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(I =800mAdc, I =80mAdc)  
0.5  
1.2  
1.6  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
C
B
G
Base-Emitter Saturation Voltage  
(I =800mAdc, I =80mAdc)  
---  
C
B
DIMENSIONS  
Base- Emitter Voltage  
---  
INCHES  
MIN  
.170  
.170  
.550  
.010  
.130  
.096  
MM  
MIN  
(I =1.5Adc)  
E
DIM  
A
B
C
D
MAX  
MAX  
4.83  
4.83  
14.97  
0.56  
3.96  
2.64  
NOTE  
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
.190  
.190  
.590  
.020  
.160  
.104  
4.33  
4.30  
13.97  
0.36  
3.30  
2.44  
fT  
Transistor Frequency  
(I =50mAdc, VCE=10Vdc, f=30MHz)  
C
190  
---  
MHz  
E
G
CLASSIFICATION OF HFE (1)  
Rank  
C
D
Range  
120-200  
160-300  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: A  
2011/01/01  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SS8050-G COMCHIP

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