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SS8050-TO-92

更新时间： 2024-09-24 01:25:31

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描述
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

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SS8050-TO-92 数据手册

SS8050

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR( NP N )

Features

TO- 9 2

●

Complimentary to SS8550

Collector Current: I_C=1.5A

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

E B C

1.5

Junction Temperature

Storage Temperature

150

T_j

℃

T_stg

-55～+150

Electrical Characteristics (T=25℃ Unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)CBOI_C=100uA, I_E=0

V_(BR)CEOI_C=0.1mA, I_B=0

V_(BR)EBOI_E=100μA, I_C=0

I_CBO

I_CEO

V_CB=40V, I_E=0

0.1

400

μA

Emitter cut-off current

V_CE=20V, I_E=0

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE

V_CE=1V, I_C=100mA

V_CE=1V, I_C=800mA

I_C=800mA, I_B=80mA

V_CE=1V, I_C=10mA

V_CE=10V, I_C=50mA,f=30MH_Z

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

0.5

1.2

Transition frequency

f_T

100

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

Range

85-160

120-200

160-300

300-400

igh Diode Semiconductor

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