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SS8050DTA PDF预览

SS8050DTA

更新时间： 2024-01-21 14:56:50
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3 LD, TO92, MOLDED 0.200 IN LINE SPACING LD FORM, 2000/AMMO

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SS8050DTA 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.96
Samacsys Description：Transistor GP BJT NPN 25V 1.5A TO92-3最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：190 MHz

SS8050DTA 数据手册

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SS8050  
2W Output Amplifier of Portable Radios in  
Class B Push-pull Operation.  
•
•
•
Complimentary to SS8550  
Collector Current: I =1.5A  
Collector Power Dissipation: P =2W (T =25°C)  
C
C
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
40  
CBO  
25  
V
CEO  
EBO  
6
1.5  
V
I
A
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
1
W
C
T
T
150  
°C  
°C  
J
-65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
40  
25  
6
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =2mA, I =0  
C B  
I =100µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=35V, I =0  
100  
100  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
V
=6V, I =0  
C
h
h
h
DC Current Gain  
V
V
V
=1V, I =5mA  
45  
85  
40  
FE1  
FE2  
FE3  
CE  
CE  
CE  
C
=1V, I =100mA  
300  
C
=1V, I =800mA  
C
V
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I =800mA, I =80mA  
0.5  
1.2  
1
V
V
CE (sat)  
BE (sat)  
BE (on)  
C
B
I =800mA, I =80mA  
C
B
V
=1V, I =10mA  
V
CE  
CB  
CE  
C
C
Output Capacitance  
V
V
=10V, I =0, f=1MHz  
9.0  
pF  
MHz  
ob  
E
f
Current Gain Bandwidth Product  
=10V, I =50mA  
100  
T
C
h
Classification  
FE  
Classification  
B
C
D
h
85 ~ 160  
120 ~ 200  
160 ~ 300  
FE2  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B2, August 2004  
1234

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SS8050DTA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SS8050DTA ONSEMI

功能相似

 NPN外延硅晶体管
SS8050DBU FAIRCHILD

类似代替

 NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, TO92, JEDEC TO-92 COMPLIANT STRAIGHT LEAD CONFIGURA
SS8050-D MCC

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