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SS8050LT1

更新时间: 2024-01-23 15:58:47
品牌 Logo 应用领域
江苏长电/长晶 - CJ 晶体晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 129K
描述
TRANSISTOR( NPN )

SS8050LT1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.37
最大集电极电流 (IC):1.5 A集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

SS8050LT1 数据手册

 浏览型号SS8050LT1的Datasheet PDF文件第2页 
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD  
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors  
SOT23  
1. BASE  
SS8050LT1  
TRANSISTORNPN )  
2. EMITTER  
3. COLLECTOR  
FEATURES  
Power dissipation  
PCM  
Collector current  
ICM  
:
0.3  
1.5  
WTamb=25℃)  
2.4  
1.3  
:
A
V
Collector-base voltage  
V(BR)CBO : 40  
Operating and storage junction temperature range  
TJTstg: -55to +150℃  
Unit : mm  
ELECTRICAL CHARACTERISTICSTamb=25℃  
unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test  
conditions  
MIN  
40  
25  
5
TYP  
MAX  
UNIT  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V
Ic= 100μAIE=0  
Ic= 0.1mAIB=0  
IE=100μAIC=0  
VCB=40 V , IE=0  
(BR)CBO  
V
V
(BR)CEO  
V
V
(BR)EBO  
ICBO  
0.1  
0.1  
μA  
μA  
μA  
Collector cut-off current  
ICEO  
VCB=20V , IE=0  
Emitter cut-off current  
IEBO  
VEB= 5V , IC=0  
0.1  
hFE(1)  
VCE=1V, IC= 100mA  
VCE=1V, IC= 800mA  
IC=800 mA, IB= 80mA  
IC=800 mA, IB= 80mA  
120  
40  
350  
DC current gain  
hFE(2)  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
0.5  
1.2  
V
V
VCE=10V, I = 50mA  
C
Transition frequency  
fT  
100  
MHz  
f=30MHz  
CLASSIFICATION OF hFE  
(1)  
Rank  
L
H
Range  
120-200  
200-350  
DEVICE MARKING:  
8050LT1=Y1  

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