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SS8050LT1L(SOT-323)

更新时间： 2024-01-26 01:36:51

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江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
1页	34K
描述
Transistor

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SS8050LT1L(SOT-323) 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	120	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

SS8050LT1L(SOT-323) 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors

SS8050LT1 TRANSISTOR (NPN)

SOT-323

1. BASE

FEATURES

2. EMITTER

3. COLLECTOR

1. 25¡ À0. 05

Power dissipation

P_CM:

2. 30¡ À0. 05

0.2

W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM:

1.5

Collector-base voltage

V_(BR)CBO

Unit: mm

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

Ic= 100µA, I_E=0

Ic= 0.1mA, I_B=0

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_E=100µA, I_C=0

V_CB=40V, I_E=0

0.1

350

µA

I_CEO

V_CB=20V, I_E=0

Collector cut-off current

I_EBO

V_EB= 5V, I_C=0

Emitter cut-off current

h_FE(1)

V_CE=1V, I_C= 100mA

V_CE=1V, I_C= 800mA

I_C=800mA, I_B= 80mA

120

DC current gain

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

0.5

1.2

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

_CE=10V, I_C= 50mA

100

MHz

Transition frequency

f_T

f=30MHz

CLASSIFICATION OF hFE

(1)

Rank

Range

120-200

200-350

DEVICE MARKING

SS8050LT1=Y1

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