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SS2P4-E3

更新时间： 2024-09-15 15:52:51

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		功效瞄准线光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	329K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-220AA, LEAD FREE, PLASTIC, SMP, 2 PIN

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SS2P4-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-220AA	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.7	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-220AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	50 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

SS2P4-E3 数据手册

SS2P2, SS2P3 & SS2P4

New Product

Vishay General Semiconductor

High Current Density Surface Mount

Schottky Barrier Rectifiers

Major Ratings and Characteristics

I_F(AV)

V_RRM

I_FSM

2 A

20 V, 30 V, 40 V

50 A

E_AS

11.25 mJ

0.50 V

V_F

T_jmax.

150 °C

DO-220AA (SMP)

Features

Mechanical Data

• Very low profile - typical height of 1.0 mm

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency

Case: DO-220AA (SMP)

Epoxy meets UL-94V-0 flammability rating

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high

reliability grade (AEC Q101 qualified)

• Low thermal resistance

• Meets MSL level 1 per J-STD-020C

• Solder Dip 260 °C, 40 seconds

Polarity: Color band denotes the cathode end

Typical Applications

For use in low voltage high frequency inverters, free-

wheelling, dc-to-dc converters, and polarity protection

applications

Maximum Ratings

(T_A= 25 °C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

SS2P2

SS2P3

SS2P4

Unit

Device marking code

Maximum repetive peak reverse voltage

V_RRM

I_F(AV)

I_FSM

Maximum average forward rectified current see Fig. 1

2.0

Peak forward surge current 10 ms single half sine-

wave superimposed on rated load

Non-repetitive avalanche energy

E_AS

11.25

at I_AS= 1.5 A, L = 10 mH, T_J= 25 °C

Voltage rate of change (rated V_R)

dv/dt

10000

V/us

°C

Operating junction and storage temperature range

_J,T_STG

- 55 to + 150

Document Number 88910

10-Nov-05

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SS2P4-E3/84A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 2A, 40V V(RRM),
SS2P4-E3/85A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 2A, 40V V(RRM),
SS2P4-E384A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SS2P4-E385A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SS2P4HE3/84A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 2A, 40V V(RRM),
SS2P4-HE3/84A	VISHAY	获取价格	2A, 40V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMP
SS2P4HE3/85A	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 2A, 40V V(RRM),
SS2P4-HE3/85A	VISHAY	获取价格	2 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, S
SS2P4HE384A	VISHAY	获取价格	High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
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