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SS2P4HE3/84A

更新时间： 2024-09-15 15:52:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 99K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 2A, 40V V(RRM),

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SS2P4HE3/84A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.83
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.5 VJESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1最高工作温度：150 °C
最大输出电流：2 A最大重复峰值反向电压：40 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：1

SS2P4HE3/84A 数据手册

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New Product  
SS2P2, SS2P3 & SS2P4  
Vishay General Semiconductor  
High Current Density Surface Mount  
Schottky Barrier Rectifiers  
FEATURES  
• Very low profile - typical height of 1.0 mm  
• Ideal for automated placement  
eSMPTM Series  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
• High efficiency  
• Low thermal resistance  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
DO-220AA (SMP)  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheelling, dc-to-dc converters, and polarity  
protection applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 A  
20 V, 30 V, 40 V  
50 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-220AA (SMP)  
VRRM  
IFSM  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade  
(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2  
whisker test  
EAS  
11.25 mJ  
0.50 V  
VF  
TJ max.  
150 °C  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
SS2P2  
22  
SS2P3  
23  
SS2P4  
24  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)  
VRRM  
IF(AV)  
20  
30  
40  
V
A
2.0  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave superimposed  
on rated load  
IFSM  
50  
A
Non-repetitive avalanche energy at IAS = 1.5 A, L = 10 mH, TJ = 25 °C  
Voltage rate of change (rated VR)  
EAS  
dV/dt  
11.25  
10 000  
mJ  
V/µs  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
IF = 2 A  
IF = 2 A  
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
0.50  
0.43  
0.55  
0.50  
Maximum instantaneous forward voltage (1)  
VF  
V
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
-
8
150  
15  
µA  
mA  
(2)  
Maximum reverse current at rated VR  
IR  
Typical junction capacitance  
4.0 V, 1 MHz  
CJ  
110  
pF  
Notes:  
(1) Pulse test: 300 µs pulse width, 1 % duty cycle  
(2) Pulse test: Pulse width ≤ 40 ms  
Document Number: 88910  
Revision: 19-May-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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SS2P4HE3/84A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SS2P4HM3/84A VISHAY

类似代替

 DIODE 2 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMP, 2 PIN,
SS2P4-HE3/84A VISHAY

功能相似

 2A, 40V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMP

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SS2P4-HE3/84A VISHAY

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 		2A, 40V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMP
SS2P4HE3/85A VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 2A, 40V V(RRM),
SS2P4-HE3/85A VISHAY

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 		2 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, S
SS2P4HE384A VISHAY

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 		High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
SS2P4HE385A VISHAY

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 		High Current Density Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
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 		DIODE 2 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-220AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMP, 2 PIN,
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