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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SS2P5HE3/85A
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SS2P5HE3/85A

更新时间： 2024-09-16 06:13:55
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威世 - VISHAY 整流二极管
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4页 104K
描述
High-Current Density Surface Mount Schottky Rectifier

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SS2P5HE3/85A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.81
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.6 V
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
最高工作温度：150 °C最大输出电流：2 A
最大重复峰值反向电压：50 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)Base Number Matches：1

SS2P5HE3/85A 数据手册

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New Product  
SS2P5 & SS2P6  
Vishay General Semiconductor  
High-Current Density Surface Mount Schottky Rectifier  
FEATURES  
• Very low profile - typical height of 1.0 mm  
• Ideal for automated placement  
eSMPTM Series  
• Low forward voltage drop, low power  
losses  
• High efficiency  
• Low thermal resistance  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
DO-220AA (SMP)  
and WEEE 2002/96/EC  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in low voltage high frequency inverters,  
freewheeling, dc-to-dc converters and polarity  
protection applications.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2 A  
VRRM  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-220AA (SMP)  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade  
(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2  
whisker test  
50 V, 60 V  
50 A  
IFSM  
EAS  
11.25 mJ  
0.54 V  
VF  
TJ max.  
150 °C  
Polarity: Color band denotes the cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
SS2P5  
25  
SS2P6  
26  
UNIT  
Device marking code  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum average forward rectified current (Fig. 1)  
VRRM  
IF(AV)  
50  
60  
V
A
2.0  
50  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
A
Non-repetitive avalanche energy at IAS = 1.5 A, L = 10 mH, TJ = 25 °C  
Voltage rate of change (rated VR)  
EAS  
dV/dt  
11.25  
10 000  
mJ  
V/us  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
IF = 2 A  
IF = 2 A  
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
0.62  
0.54  
0.70  
0.60  
Maximum instantaneous forward voltage (1)  
VF  
V
TJ = 25 °C  
TJ = 125 °C  
-
100  
10  
µA  
mA  
(2)  
Maximum reverse current at rated VR  
IR  
1.6  
Typical junction capacitance  
4.0 V, 1 MHz  
CJ  
80  
pF  
Notes:  
(1) Pulse test: 300 µs pulse width, 1 % duty cycle  
(2) Pulse test: Pulse width ≤ 40 ms  
Document Number: 88943  
Revision: 19-May-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
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SS2P5HE3/85A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SS2P5HM3/85A VISHAY

完全替代

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