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SQ7414AENW-T1_GE3 PDF预览

SQ7414AENW-T1_GE3

更新时间： 2024-02-12 17:15:49
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
9页 225K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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SQ7414AENW-T1_GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

SQ7414AENW-T1_GE3 数据手册

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SQ7414AENW  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET  
FEATURES  
• TrenchFET® power MOSFET  
• Low thermal resistance PowerPAK® 1212-8  
package with 1.07 mm profile  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
60  
R
DS(on) (Ω) at VGS = 10 V  
DS(on) (Ω) at VGS = 4.5 V  
0.023  
0.028  
18  
R
• PWM optimized  
ID (A)  
• 100 % Rg and UIS tested  
• AEC-Q101 qualified  
• Wettable flank terminals  
Configuration  
Single  
PowerPAK® 1212-8W Single  
D
8
D
7
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
D
6
D
5
D
1
S
2
S
3
S
G
4
G
1
Top View  
Bottom View  
N-Channel MOSFET  
S
Marking Code: Q020  
ORDERING INFORMATION  
Package  
PowerPAK 1212-8W  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
SQ7414AENW-T1-GE3  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
60  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
18  
Continuous Drain Current a  
ID  
T
C = 125 °C  
18  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
Pulsed Drain Current b  
IS  
18  
A
IDM  
IAS  
EAS  
72  
Single Pulse Avalanche Current  
Single Pulse Avalanche Energy  
20  
L = 0.1 mH  
16  
62  
mJ  
W
TC = 25 °C  
Maximum Power Dissipation b  
PD  
TC = 125 °C  
20  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature) d  
TJ, Tstg  
-55 to +175  
260  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
PARAMETER  
SYMBOL  
RthJA  
LIMIT  
81  
UNIT  
Junction-to-Ambient  
PCB Mount c  
°C/W  
Junction-to-Case (Drain)  
RthJC  
2.4  
Notes  
a. Package limited.  
b. Pulse test; pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 %.  
c. When mounted on 1" square PCB (FR4 material).  
d. Rework conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
S15-0940-Rev. B, 04-May-15  
Document Number: 62980  
1
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...9

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与SQ7414AENW-T1_GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SQ7414AENW-T1-GE3 VISHAY

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 		POWER, FET
SQ7414CENW VISHAY

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 		Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
SQ7414EN VISHAY

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 		N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SQ7414EN-T1 VISHAY

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 		TRANSISTOR 5.6 A, 60 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 1212, POW
SQ7414EN-T1-E3 VISHAY

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 		Trans MOSFET N-CH 60V 5.6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
SQ7415AEN VISHAY

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 		Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFE
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 		MOSFET P-CH 60V 16A POWERPAK1212

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