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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 100 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.8 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 29.7 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 9.6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SPA04AB | CK-COMPONENTS |
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Single In-line Package Switches |
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| SPA04AB | LITTELFUSE |
获取价格 |
Single In-line Package DIP |
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| SPA04B | CK-COMPONENTS |
获取价格 |
Single In-line Package Switches |
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| SPA04B | LITTELFUSE |
获取价格 |
Single In-line Package DIP |
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| SPA04N50C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor |
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| SPA04N50C3XKSA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| SPA04N60C2 | INFINEON |
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Cool MOS⑩ Power Transistor |
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| SPA04N60C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS™ Power Transistor |
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| SPA04N60C3XKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| SPA04N80C3 | INFINEON |
获取价格 |
Cool MOS⑩ Power Transistor |
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