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SPA04N50C3XKSA1

更新时间: 2024-11-29 14:44:55
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英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 610K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 500V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3

SPA04N50C3XKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week风险等级:5.8
其他特性:AVALANCHE RATED雪崩能效等级(Eas):130 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (ID):4.5 A
最大漏源导通电阻:0.95 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):13.5 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SPA04N50C3XKSA1 数据手册

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Power dissipation, T = 25°C  
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Mꢀ VWJ  
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Reverse diode dv/dt  
dv/dt  
V/ns  
Rev. 2.9  
PDJHꢀꢁ  
2010-12-21  

SPA04N50C3XKSA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPA50R950CE INFINEON

类似代替

500V CoolMOS™ CE Power MOSFET
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Cool MOS™ Power Transistor

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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SPA04N60C3XKSA1 INFINEON

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Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 600V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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SPA04N80C3_08 INFINEON

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