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SPA06N80C3XKSA1

更新时间： 2024-02-18 00:34:28

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网高压开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	480K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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SPA06N80C3XKSA1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	1.64	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE	雪崩能效等级（Eas）：	230 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.9 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SPA06N80C3XKSA1 数据手册

SPA06N80C3

CoolMOS^TMPower Transistor

Features

Product Summary

V _DS

800

0.9

• New revolutionary high voltage technology

• Extreme dv/dt rated

R _DS(on)max@ T_j= 25°C

Q _g,typ

• High peak current capability

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Ultra low gate charge

• Ultra low effective capacitances

• Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute)

CoolMOS^TM800V designed for:

• Industrial application with high DC bulk voltage

• Switching Application ( i.e. active clamp forward )

Type

Package

Marking

SPA06N80C3

PG-TO220-3

06N80C3

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

Continuous drain current²⁾

I _D

T _C=25 °C

3.8

T _C=100 °C

Pulsed drain current³⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

I _D=1.2 A, V _DD=50 V

I _D=6 A, V _DD=50 V

Avalanche energy, single pulse

230

0.2

3),4)

E _AR

Avalanche energy, repetitive t _AR

I _AR

Avalanche current, repetitive t _AR

MOSFET dv /dt ruggedness

Gate source voltage

V _DS=0…640 V

static

dv /dt

V _GS

V/ns

±20

±30

AC (f >1 Hz)

T _C=25 °C

P _tot

Power dissipation

T _j, T _stg

-55 ... 150

Operating and storage temperature

Mounting torque

°C

M2.5 screws

page 1

Ncm

Rev. 2.91

2011-09-27

12 3 4 5 6 7...10

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