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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SPA06N60C3
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SPA06N60C3

更新时间： 2024-01-18 02:57:45
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 203K
描述
CoolMOS Power Transistor

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SPA06N60C3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：8.48
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.2 A最大漏极电流 (ID)：6.2 A
最大漏源导通电阻：0.75 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：32 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18.6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPA06N60C3 数据手册

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SPA06N60C3  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
DS @ T j,max  
V
650  
0.75  
6.2  
V
Ω
A
• New revolutionary high voltage technology  
• Ultra low gate charge  
R DS(on),max  
1)  
I D  
• Periodic avalanche rated  
• High peak current capability  
• Ultra low effective capacitances  
• Extreme dv /dt rated  
P-TO220-3-31  
• Improved transconductance  
• Fully isolated package (2500 V AC; 1 minute)  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
Q67040-S4631 06N60C3  
SPA06N60C3  
P-TO220-3-31  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
6.2  
3.9  
A
Pulsed drain current1)  
I D,pulse  
E AS  
E AR  
I AR  
18.6  
200  
0.5  
I D=3.1 A, V DD=50 V  
I D=6.2 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
1),2)  
1)  
Avalanche energy, repetitive t AR  
6.2  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
Drain source voltage slope  
Gate source voltage  
I D=6.2 A, V DS=480 V,  
T j=125 °C  
50  
dv /dt  
V/ns  
V
V GS  
±20  
±30  
static  
V GS  
AC (f >1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
32  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
-55 ... 150  
Operating and storage temperature  
°C  
Rev. 1.0  
page 1  
2004-04-27  
1234567...10

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SPA06N60C3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPA60R750E6 INFINEON

类似代替

 600V CoolMOS E6 Power Transistor
STF9NM60N STMICROELECTRONICS

功能相似

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