是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 7.94 |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6 A | 最大漏极电流 (ID): | 6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.047 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e2 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 24 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN COPPER | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SP8K2FU6TB | ROHM |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
DMS3017SSD-13 | DIODES |
功能相似 |
ASYMMETRIC DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
AO4800B | AOS |
功能相似 |
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SP8K2TL | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, TUMT3, 3 PIN | |
SP8K3 | ROHM |
获取价格 |
Switching (30V, 7.0A) | |
SP8K31FRATB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
SP8K31HZG | ROHM |
获取价格 |
SP8K31HZG是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置2个 | |
SP8K31HZGTB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
SP8K31TB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 60V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
SP8K32HZG | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
SP8K32TB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.077ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
SP8K33HZG | ROHM |
获取价格 |
本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置2个Nch 60 | |
SP8K3FU6TB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |