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SMJ5517-15JDM

更新时间: 2024-09-08 20:49:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 379K
描述
IC,SRAM,2KX8,CMOS,DIP,24PIN,CERAMIC

SMJ5517-15JDM 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP24,.6Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:150 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDIP-T24
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:2KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP24,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.0001 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.09 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SMJ5517-15JDM 数据手册

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