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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP20,.3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.34 | 最长访问时间： | 25 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T20 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 20 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 16KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP20,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SMJ61CD16-35FGM | TI |
获取价格 |
16KX1 STANDARD SRAM, 35ns, CQCC20 |
|
| SMJ61CD16-35FGM | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CQCC20 |
|
| SMJ61CD16-35JDM | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CDIP20 |
|
| SMJ61CD16-45FGM | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, CQCC20 |
|
| SMJ61CD16-45FGM | TI |
获取价格 |
16KX1 STANDARD SRAM, 45ns, CQCC20 |
|
| SMJ61CD16-45JDM | TI |
获取价格 |
16KX1 STANDARD SRAM, 45ns, CDIP20 |
|
| SMJ61CD64-25FG | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM |
|
| SMJ61CD64-30FG | TI |
获取价格 |
IC,SRAM,64KX1,CMOS,LLCC,CERAMIC |
|
| SMJ61CD64-30FG | ROCHESTER |
获取价格 |
Standard SRAM |
|
| SMJ61CD64-30FGM | TI |
获取价格 |
SMJ61CD64-30FGM |
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