是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | DIP, DIP20,.3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.34 | 最长访问时间: | 25 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T20 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 1 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 20 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 16KX1 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | NO | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP20,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SMJ61CD16-35FGM | TI |
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16KX1 STANDARD SRAM, 35ns, CQCC20 |
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SMJ61CD16-35FGM | ROCHESTER |
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Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CQCC20 |
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SMJ61CD16-35JDM | ROCHESTER |
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Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CDIP20 |
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SMJ61CD16-45FGM | ROCHESTER |
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Standard SRAM, 16KX1, 45ns, CMOS, CQCC20 |
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SMJ61CD16-45FGM | TI |
获取价格 |
16KX1 STANDARD SRAM, 45ns, CQCC20 |
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SMJ61CD16-45JDM | TI |
获取价格 |
16KX1 STANDARD SRAM, 45ns, CDIP20 |
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SMJ61CD64-25FG | ROCHESTER |
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Standard SRAM |
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SMJ61CD64-30FG | TI |
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IC,SRAM,64KX1,CMOS,LLCC,CERAMIC |
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SMJ61CD64-30FG | ROCHESTER |
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Standard SRAM |
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SMJ61CD64-30FGM | TI |
获取价格 |
SMJ61CD64-30FGM |
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