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SMJ626162-20DGE

更新时间: 2024-09-14 15:51:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
43页 2061K
描述
1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 10ns, PDSO50

SMJ626162-20DGE 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP2, TSOP50,.46,32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.8访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:10 ns其他特性:AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):50 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G50
长度:20.95 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:50字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP50,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096筛选级别:MIL-PRF-38535 Class N
座面最大高度:1.2 mm连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.15 mA最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

SMJ626162-20DGE 数据手册

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