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SMJ626162-15HKD

更新时间： 2024-11-25 21:21:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
42页 629K
描述
1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 9ns, CDFP50, 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-50

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SMJ626162-15HKD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DFP包装说明：DFP, FL50,.67,32
针数：50Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.61访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：9 ns其他特性：AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：66 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：R-CDFP-F50
长度：21 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：50字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：1MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DFP
封装等效代码：FL50,.67,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096筛选级别：38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：3.55 mm连续突发长度：1,2,4,8,FP
最大待机电流：0.002 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.175 mA最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：FLAT
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：16.5 mm
Base Number Matches：1

SMJ626162-15HKD 数据手册

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SMJ626162  
524288 BY 16-BIT BY 2-BANK  
SYNCHRONOUS DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORY  
SGMS737C – JULY 1997 – REVISED MARCH 1999  
HKD PACKAGE  
(TOP VIEW)  
Organization  
512K × 16 Bits × 2 Banks  
3.3-V Power Supply (±5% Tolerance)  
1
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
V
V
SS  
DQ15  
DQ14  
CC  
Two Banks for On-Chip Interleaving  
(Gapless Accesses)  
2
DQ0  
DQ1  
3
High Bandwidth – Up to 83-MHz Data Rates  
4
V
V
SSQ  
DQ13  
DQ12  
SSQ  
DQ2  
Read Latency Programmable to  
2 or 3 Cycles From Column-Address Entry  
5
6
DQ3  
7
Burst Sequence Programmable to Serial or  
Interleave  
V
V
CCQ  
DQ11  
DQ10  
CCQ  
DQ4  
8
9
DQ5  
Burst Length Programmable to 1, 2, 4, 8, or  
256 (Full Page)  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
V
V
SSQ  
DQ9  
DQ8  
SSQ  
DQ6  
Chip Select and Clock Enable for Enhanced  
System Interfacing  
DQ7  
V
V
CCQ  
CCQ  
DQML  
Cycle-by-Cycle DQ-Bus Mask Capability  
With Upper- and Lower-Byte Control  
NC  
DQMU  
CLK  
CKE  
NC  
A9  
W
CAS  
RAS  
CS  
Autorefresh Capability  
4K Refresh (Total for Both Banks)  
High-Speed, Low-Noise, Low-Voltage TTL  
(LVTTL) Interface  
A11  
A10  
A0  
Power-Down Mode  
A8  
Pipeline Architecture  
A7  
Temperature Ranges:  
A1  
A6  
Operating, – 55°C to 125°C  
Storage, – 65°C to 150°C  
A2  
A5  
A3  
A4  
Performance Ranges:  
V
V
SS  
CC  
SYNCHRONOUS ACCESS TIME REFRESH  
CLOCK CYCLE  
TIME  
CLOCK TO  
OUTPUT  
TIME  
INTERVAL  
PIN NOMENCLATURE  
t
t
t
REF  
CK  
AC  
(MIN)  
(MIN)  
8ns  
9ns  
10ns  
(MAX)  
32ms  
32ms  
32ms  
A[0:10]  
Address Inputs  
’626162-12  
’626162-15  
12 ns  
15 ns  
20 ns  
A0–A10 Row Addresses  
A0–A7 Column Addresses  
A10 Automatic-Precharge Select  
Bank Select  
’626162-20  
Read latency = 3  
†
A11  
CAS  
CKE  
Column-Address Strobe  
Clock Enable  
description  
CLK  
System Clock  
CS  
Chip Select  
The SMJ626162 series of devices are  
16777216-bit synchronous dynamic random-  
access memory (SDRAM) devices organized as  
two banks of 524288 words with 16 bits per word.  
DQ[0:15]  
DQML, DQMU  
NC  
SDRAM Data Input/Data Output  
Data-Input/Data-Output Mask Enable  
No Connect  
Row-Address Strobe  
Power Supply (3.3-V Typical)  
Power Supply for Output Drivers  
(3.3-V Typical)  
RAS  
V
V
CC  
CCQ  
All inputs and outputs of the SMJ626162 series  
are compatible with the LVTTL interface.  
V
V
W
Ground  
Ground for Output Drivers  
Write Enable  
SS  
SSQ  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
Copyright 1999, Texas Instruments Incorporated  
On products compliant to MIL-PRF-38535, all parameters are tested  
unless otherwise noted. On all other products, production  
processing does not necessarily include testing of all parameters.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1234567...42

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与SMJ626162-15HKD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SMJ626162-15HKDM MICROSS

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 		Synchronous DRAM, 1MX16, 9ns, CMOS, CDFP50, 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-50
SMJ626162-20DGE TI

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 		1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 10ns, PDSO50
SMJ626162-20DGEM TI

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 		1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, PDSO50, 0.400 INCH, TSOP2-50
SMJ626162-20HKD TI

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 		1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 10ns, CDFP50, 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-50
SMJ626162-20HKD MICROSS

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 		Synchronous DRAM, 1MX16, 10ns, CMOS, CDFP50, 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-50
SMJ626162DGE TI

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 		1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 10ns, PDSO50
SMJ626162HKD TI

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 		1MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 8ns, CDFP50, 0.650 INCH, CERAMIC, DFP-50
SMJ64C16-25FG TI

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 		IC,SRAM,4KX4,CMOS,LLCC,20PIN,CERAMIC
SMJ64C16-45JD TI

获取价格

 		IC,SRAM,4KX4,CMOS,DIP,20PIN,CERAMIC
SMJ64C256-45FGM TI

获取价格

 		64KX4 STANDARD SRAM, 45ns, CQCC28

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