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SMJ61CD16-35JDM

更新时间: 2024-09-14 19:55:43
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 900K
描述
Standard SRAM, 16KX1, 35ns, CMOS, CDIP20

SMJ61CD16-35JDM 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.78
最长访问时间:35 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码:R-CDIP-T20内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端子数量:20
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:16KX1
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

SMJ61CD16-35JDM 数据手册

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