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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.72 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 800 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 最高工作温度： | 150 °C | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| VCEsat-Max： | 3.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SKIIP802GB120401W | SEMIKRON |
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Large IGBT Power Packs |
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| SKIIP802GB120401W-F | SEMIKRON |
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Large IGBT Power Packs |
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| SKIIP802GB120401W-FT | SEMIKRON |
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Large IGBT Power Packs |
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| SKIIP802GB120401WT-F | SEMIKRON |
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Large IGBT Power Packs |
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| SKIIP802GB120401WT-FT | SEMIKRON |
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Large IGBT Power Packs |
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| SKIIP802GH061-2259CTV | SEMIKRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 800A I(C), 600V V(BR)CES, |
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| SKIIP803GD061-3DUW | SEMIKRON |
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6-pack-integrated intelligent power system |
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| SKIIP81ANB15 | SEMIKRON |
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Diode, |
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| SKIIP81ANB15T1 | SEMIKRON |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 100A, 1500V V(RRM), Silicon, CASE M8A, MINISKIIP-11 |
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| SKIIP82AC12 | SEMIKRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 95A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE M8, MINISKIIP |
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