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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.56 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 最大重复峰值反向电压： | 1500 V | 子类别： | Other Diodes |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SKIIP832GB120-406CTV | SEMIKRON |
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2-pack - integrated intelligent Power System |
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| SKIIP832GB120-406CTVF | SEMIKRON |
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Half Bridge Based Peripheral Driver, 1000A |
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| SKIIP832GB120-406CTVU | SEMIKRON |
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Half Bridge Based Peripheral Driver, 1000A |
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| SKIIP832GB120-4D | SEMIKRON |
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2-pack - integrated intelligent Power System |
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| SKIIP832GB120-4D_07 | SEMIKRON |
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2-pack - integrated intelligent Power System |
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| SKIIP83AC12 | SEMIKRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 125A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE M8, MINISKII |
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| SKIIP83ANB08 | ETC |
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模块 |
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| SKIIP83ANB15T1 | SEMIKRON |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 100A, 1500V V(RRM), Silicon, CASE M8A, MINISKIIP-11 |
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| SKIIP912GB120031 | SEMIKRON |
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Large IGBT Power Packs |
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| SKIIP912GB120-303FT | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, |
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